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絕緣介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀
- 品牌:北京北廣精儀
- 型號: GDAT-A
- 產(chǎn)地:北京 海淀區(qū)
- 供應(yīng)商報(bào)價(jià):¥20000
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
更新時(shí)間:2025-05-23 08:14:02
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銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品高頻介電常數(shù)測試儀(138件)
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產(chǎn)品特點(diǎn)
- 絕緣介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀本測試裝置是由精密機(jī)械構(gòu)件組成的測微設(shè)備,所以在使用和保存時(shí)要避免振動(dòng)和碰撞,要求在不含腐蝕氣體和干燥的環(huán)境中使用和保存,不能自行拆裝,否則其工作性能就不能保證,如測試夾具受到碰撞,或者作為定期檢查,要檢測以下幾個(gè)指標(biāo):
1. 平板電容器二極片平行度不超過0.02mm。
2. 園筒電容器的軸和軸同心度誤差不超過0.1mm。 詳細(xì)介紹
絕緣介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀儀器的技術(shù)指標(biāo)
1.Q值測量范圍:2~1023
2.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;
3.電感測量范圍:自身殘余電感和測試引線電感的自動(dòng)扣除功能4.5nH-100mH 分別有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九個(gè)電感組成。
4.電容直接測量范圍:1~460pF
5.主電容調(diào)節(jié)范圍: 30~500pF
6.電容準(zhǔn)確度 150pF以下±1.5pF;150pF以上±1% 7.信號源頻率覆蓋范圍10KHz-70MHz (雙頻對向搜索 確保頻率不被外界干擾)另有GDAT-C 頻率范圍10KHz-70MHz及200KHZ-160M
8、型號頻率指示誤差:1*10-6 ±1
Q值合格指示預(yù)置功能范圍:5~1000
Q值自動(dòng)鎖定,無需人工搜索
9.Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
10.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
11.產(chǎn)品配置:
a.測試主機(jī)一臺;
b.電感一套;
c.夾具一 套
絕緣介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀
本機(jī)采用機(jī)電一體化設(shè)計(jì) ,主要由測力傳感器、變送器、微處理器、負(fù)荷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、計(jì)算機(jī)及彩色噴墨打印機(jī)構(gòu)成。它具有寬廣準(zhǔn)確的加載速度和測力范圍,對載荷、位移的測量和控制有較高的精度和靈敏度,還可以進(jìn)行等速加載、等速位移的自動(dòng)控制試驗(yàn)。落地式機(jī)型 ,造型涂裝均充分考量了現(xiàn)代工業(yè)設(shè)計(jì),人體工程學(xué)之相關(guān)原則。
主要特點(diǎn):采用進(jìn)口光電編碼器進(jìn)行位移測量,控制器采用嵌入式單片微機(jī)結(jié)構(gòu),內(nèi)置功能強(qiáng)大的測控軟件,集測量、控制、計(jì)算、存儲功能于一體。具有自動(dòng)計(jì)算應(yīng)力、延伸率(需加配引伸計(jì))、抗拉強(qiáng)度、彈性模量的功能,自動(dòng)統(tǒng)計(jì)結(jié)果;自動(dòng)記錄大點(diǎn)、斷裂點(diǎn)、點(diǎn)的力值或伸長量;采用計(jì)算機(jī)進(jìn)行試驗(yàn)過程及試驗(yàn)曲線的動(dòng)態(tài)顯示,并進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,試驗(yàn)結(jié)束后可通過圖形處理模塊對曲線放大進(jìn)行數(shù)據(jù)再分析編輯,并可打印報(bào)表。
品質(zhì)保證:3年保修,終身維護(hù)!
注意事項(xiàng)1、該儀器初始的包裝材料需小心保存,安裝需由本公司的專業(yè)技術(shù)人員進(jìn)行操作。2、若儀器由于任何原因必須返修,必須將其裝入原紙箱中以防運(yùn)輸途中損壞。3、在開機(jī)前,操作者要首先熟悉操作方法。
復(fù)雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個(gè)部分:電導(dǎo)耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢,取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下,電導(dǎo)損耗占優(yōu)勢:在高頻下,主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動(dòng)造成的松弛損耗:在高頻和低溫下,主要是結(jié)構(gòu)損耗,其損耗機(jī)理目前還不清楚,可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來說,簡單玻璃的損耗是很小的,這是因?yàn)楹唵尾Aе械摹胺肿印苯咏?guī)則的排列,結(jié)構(gòu)緊密,沒有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加,并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因?yàn)閴A性氧化物進(jìn)人玻璃的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)后,使離子所在處點(diǎn)陣受到破壞,結(jié)構(gòu)變得松散,離子活動(dòng)性增大,造成電導(dǎo)損耗和松弛損耗增加。
陶瓷材料的損耗
功能介紹
1.自動(dòng)停機(jī):陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外,表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會引起較大的損耗。
在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中,介質(zhì)損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,往往在配方中引人此易熔物質(zhì)(如黏土),形成玻璃相,這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大,介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷,如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大,主要的原因是:主晶相結(jié)構(gòu)松散,生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等。
高分子材料的損耗
高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地,偶極矩在0~0.5D(德拜)范圍內(nèi)的是非極性高聚物;偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,其介電常數(shù)約為2,介質(zhì)損耗小于10-4;極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,并且極性愈大,這兩個(gè)值愈高。
高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團(tuán)的取向,因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子,雖然這種高聚物的極性很強(qiáng),但只要固化比較完全,它的介質(zhì)損耗就不高。相反,支化使分子鏈間作用力減弱,分子鏈活動(dòng)能力增強(qiáng),介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。
高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學(xué)狀態(tài)對介電性景響也很大。結(jié)品能鏈段上偶極矩的取向極化,因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降。當(dāng)高聚物結(jié)晶度大于70%時(shí),鏈段上的偶極的極化有時(shí)完全被介電性能可降至低值,同樣的道理,非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質(zhì)損耗。此外,高聚物中的增塑利、雜質(zhì)等對介電性能也有很大景響。
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