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硅膠介電常數(shù)測定

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硅膠介電常數(shù)測定 核心參數(shù)
Q值范圍 2~1023 頻率范圍 70MHZ
電容范圍 1~460pF

產(chǎn)品特點

硅膠介電常數(shù)測定 在Cn=100pF R4=3183.2(W)(即10K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgd 0~1 ±1.5%tgdx±0.0001
在Cn=100pF R4=318.3(W)(即1K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介質(zhì)損耗tgd 0~0.1 ±1.5%tgdx±0.0001

詳細(xì)介紹

硅膠介電常數(shù)測定電橋測量靈敏度電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測量準(zhǔn)確度,希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。在下面的計算公式中,用戶可根據(jù)實際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

 DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中:U為測量電壓                     伏特(V)

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)         

硅膠介電常數(shù)測定特點:優(yōu)化的測試電路設(shè)計使殘值更小◆ 高頻信號采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術(shù)◆ LED 數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù),手動/自動量程切換◆ 自動掃描被測件諧振點,標(biāo)頻單鍵設(shè)置和鎖定,大大提高測試速度

作為新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達(dá)到目前國內(nèi)高的160MHz。1 雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動調(diào)諧搜索功能。2 雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。3 雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,數(shù)碼化電容調(diào)諧。4 自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。5 全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。6 DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。7 計算機(jī)自動修正技術(shù)和測試回路優(yōu)化 —使測試回路 殘余電感減至低,徹底 Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。

標(biāo)準(zhǔn)配置:高配Q表 一只  試驗電極  一只 (c類)電感      一套(9只)電源線    一條說明書    一份合格證    一份保修卡    一份

為什么介電常數(shù)越大,絕緣能力越強?因為物質(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān),通常稱為介電系數(shù)。

介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù),介電系數(shù)或電容率,它是表示絕緣能力特性的一個系數(shù)。所以理論上來說,介電常數(shù)越大,絕緣性能就越好。

注:這個性質(zhì)不是成立的。

對于絕緣性不太好的材料(就是說不擊穿的情況下,也可以有一定的導(dǎo)電性)和絕緣性很好的材料比較,這個結(jié)論是成立的。

但對于兩個絕緣體就不一定了。

介電常數(shù)反映的是材料中電子的局域(local)特性,導(dǎo)電性是電子的全局(global)特征.不是一回事情的。

1)漏導(dǎo)損耗

實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì),在外電場的作用下,總有一些帶電粒子會發(fā)生移動而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流,漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質(zhì)不論在直流電場或交變電場作用下都會發(fā)生漏導(dǎo)損耗。

2)極化損耗

在介質(zhì)發(fā)生緩慢極化時(松弛極化、空間電荷極化等),帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。

  一些介質(zhì)在電場極化時也會產(chǎn)生損耗,這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩(wěn)定所需時間很短(約為10-16~10-12s),這在無線電頻率(5×1012Hz 以下)范圍均可認(rèn)為是極短的,因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化(例如松弛極化、空間電荷極化等)在外電場作用下,需經(jīng)過較長時間(10-10s或更長)才達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),因此會引起能量的損耗。

若外加頻率較低,介質(zhì)中所有的極化都能完全跟上外電場變化,則不產(chǎn)生極化損耗。若外加頻率較高時,介質(zhì)中的極化跟不上外電場變化,于是產(chǎn)生極化損耗。

電離損耗

電離損耗(又稱游離損耗)是由氣體引起的,含有氣孔的固體介質(zhì)在外加電場強度超過氣孔氣體電離所需要的電場強度時,由于氣體的電離吸收能量而造成指耗,這種損耗稱為電離損耗。

結(jié)構(gòu)損耗

在高頻電場和低溫下,有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結(jié)構(gòu)的緊密度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱為結(jié)構(gòu)損耗。這類損耗與溫度關(guān)系不大,耗功隨頻率升高而增大。

試驗表明結(jié)構(gòu)緊密的晶體成玻璃體的結(jié)構(gòu)損耗都很小,但是當(dāng)某此原因(如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等)使它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散后。其結(jié)構(gòu)耗就會大大升高。

宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗

工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和氣相,各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計分布口。由于各相的介電性不同,有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場分布不均勻,造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來看,整個電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗大的一相和損耗小的一相之間。

表征:

電介質(zhì)在恒定電場作用下,介質(zhì)損耗的功率為

  W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

ω=σE2

在交變電場作用下,電位移D與電場強度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量,此時介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù),其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小,是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時的重要評價參數(shù)。為了減少介質(zhì)損耗,希望材料具有較小的介電常數(shù)和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數(shù)Q=(tanδ)-1在高頻絕緣應(yīng)用條件下稱為電介質(zhì)的品質(zhì)因素,希望它的值要高。

工程材料:離子晶體的損耗,離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。

緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則,鍵強度比較大,如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等,在外電場作用下很難發(fā)生離子松弛極化,只有電子式和離子式的位移極化,所以無極化損耗,僅有的一點損耗是由漏導(dǎo)引起的(包括本質(zhì)電導(dǎo)和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導(dǎo))。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無關(guān),損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此,以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

結(jié)構(gòu)松散的離子晶體,如莫來石(3Al2O3·2SiO2)、董青石(2MgO·2Al2O3·5SiO2)等,其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變,含有缺陷和較多的雜質(zhì),離子的活動范圍擴(kuò)大。在外電場作用下,晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運動,產(chǎn)生電導(dǎo)打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來回運動,形成熱離子松弛,出現(xiàn)極化損耗。所以這類晶體的介質(zhì)損耗較大,由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻,只能應(yīng)用于低頻場合。

玻璃的損耗

復(fù)雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個部分:電導(dǎo)耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢,取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下,電導(dǎo)損耗占優(yōu)勢:在高頻下,主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動造成的松弛損耗:在高頻和低溫下,主要是結(jié)構(gòu)損耗,其損耗機(jī)理目前還不清楚,可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來說,簡單玻璃的損耗是很小的,這是因為簡單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列,結(jié)構(gòu)緊密,沒有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加,并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因為堿性氧化物進(jìn)人玻璃的點陣結(jié)構(gòu)后,使離子所在處點陣受到破壞,結(jié)構(gòu)變得松散,離子活動性增大,造成電導(dǎo)損耗和松弛損耗增加。

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外,表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會引起較大的損耗。

在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中,介質(zhì)損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,往往在配方中引人此易熔物質(zhì)(如黏土),形成玻璃相,這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大,介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷,如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大,主要的原因是:主晶相結(jié)構(gòu)松散,生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等。

高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地,偶極矩在0~0.5D(德拜)范圍內(nèi)的是非極性高聚物;偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,其介電常數(shù)約為2,介質(zhì)損耗小于10-4;極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,并且極性愈大,這兩個值愈高。

介質(zhì)損耗(dielectric loss )指的是絕緣材料在電場作用下,由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,簡稱介損。

介質(zhì)損耗因數(shù)(dielectric loss factor)指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。【依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M

功能介紹

1.自動停機(jī):試樣破壞后,移動橫梁自動停止移動(或自動返回初始位置、

2.自動換檔:根據(jù)試驗力大小自動切換到適當(dāng)?shù)牧砍?,以確保測量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性

3.條件模塊:試驗條件和試樣原始數(shù)據(jù)可以建立自己的標(biāo)準(zhǔn)模塊的形式存儲;方便用戶的調(diào)用和查看,節(jié)省試驗時間

4.自動變速:試驗過程的位移速度或加載速度可按預(yù)先編制、設(shè)定的程序自動完成也可手動改變

5.自動程制:根據(jù)試驗要求,用戶可方便的建立自己的試驗?zāi)0澹ǚ椒?、,便于二次調(diào)用,可實現(xiàn)試驗加載速度、應(yīng)力、應(yīng)變的閉環(huán)試驗控制

6.自動保存:試驗結(jié)束,試驗數(shù)據(jù)和曲線計算機(jī)自動保存,杜絕因忘記存盤而引起的數(shù)據(jù)丟失

7.測試過程:試驗過程及測量、顯示、分析等均由微機(jī)完成

8.批量試驗:對相同參數(shù)的試樣,一次設(shè)定后可順次完成一批試驗

9.試驗軟件:中文Windows用戶界面,操作簡便

10.顯示方式:數(shù)據(jù)與曲線隨試驗過程動態(tài)顯示

11.曲線遍歷:試驗完成后,可對曲線進(jìn)行放大再分析,用鼠標(biāo)查到試驗曲線上各點對應(yīng)的數(shù)據(jù)

12.試驗報告:可根據(jù)用戶要求進(jìn)行編輯打印

13.限位保護(hù):具有程控和機(jī)械兩級限位保護(hù)

14.過載保護(hù):當(dāng)負(fù)荷超過額定值3~5%時,自動停機(jī)

15.報告顯示:自動和人工兩種模式求取各種試驗結(jié)果,自動形成報表,使數(shù)據(jù)分析過程變的簡單,便于用戶

16.添加試驗方法:用戶可跟據(jù)試驗要求,添加試驗方法

軟件說明

a.軟件系統(tǒng):中英文Windows2000/XP/Win7平臺下軟件包

b.自動儲存:試驗條件、試驗結(jié)果、計算參數(shù)、標(biāo)距位置自動儲存。

c.自動返回:試驗結(jié)束后,試驗機(jī)橫梁會自動返回到試驗初始位置。

d.連續(xù)試驗:一批試驗參數(shù)設(shè)定完成后,可連續(xù)進(jìn)行測試。

e.多種曲線:同一圖形上可顯示多種不同的曲線:荷重--位移、荷重-時間、位移--時間、應(yīng)力—應(yīng)變、荷重—兩點延伸等到多種曲線。

f.曲線對比:同組試樣的曲線可在同一張圖上疊加對比。

g.報告編輯:可按用戶要求輸出不同的報告形式。

h.動態(tài)顯示:測試過程中,負(fù)荷、伸長、位移及選中的試驗曲線隨著測試的進(jìn)行,實時動態(tài)顯示在主控屏幕上。

i.自動變標(biāo):試驗中負(fù)荷、伸長等曲線坐標(biāo),如果選擇不當(dāng),可根據(jù)實測值的大小,自動變換座標(biāo)。保證在任何情況下 曲線以大的形式顯示在屏幕上。

j.峰值保持:在測試的整個過程中,測試項目的大值始終隨著試驗的進(jìn)行,在屏幕窗口上顯示。

工作原理.png

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