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產(chǎn)品中心

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賽默飛世爾 nProber IV系統(tǒng) 電氣故障分析系統(tǒng)

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產(chǎn)品特點(diǎn)

用于電氣故障隔離和高效TEM工作流程的納米探測,以提高半導(dǎo)體故障分析能力。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹:

Thermo Scientific nProber IV 系統(tǒng)是一個基于掃描電子顯微鏡(SEM)的高性能納米探測平臺,用于晶體管和金屬化故障的定位。它是我們迄今為止最 先進(jìn)的納米探測系統(tǒng)之一,也是率先使用高分辨率 LEEN2 SEM 柱的系統(tǒng)。nProber IV 納米探測系統(tǒng)專門設(shè)計用于提高您故障分析 (FA) 工作流程的速度、準(zhǔn)確度和輸出,其中生產(chǎn)率極重要。

nProber IV 納米探測系統(tǒng)通過精確的故障定位直接提高了透射電子顯微鏡 (TEM) 分析的成功率,并且已證明即使在極具挑戰(zhàn)性的工藝節(jié)點(diǎn)上也是準(zhǔn)確和可重復(fù)的。nProber IV 納米探測系統(tǒng)的自動化和指導(dǎo)性工作流程可提高實驗室生產(chǎn)率,使您的組織能夠?qū)W⒂诩{米探測和 TEM 工作流程的輸出,同時減少系統(tǒng)本身的操作投入,從而加快產(chǎn)出時間。

使用 nProber IV 納米探測系統(tǒng)改進(jìn)工藝良率提升

產(chǎn)出時間是半導(dǎo)體晶圓廠的一個重要關(guān)注點(diǎn)。能否在晶圓制作工藝和器件開發(fā)期間高效識別關(guān)鍵缺陷,是加快產(chǎn)品上市時間的關(guān)鍵。納米探測在工藝良率提升中起著至關(guān)重要的作用,它可定位其他故障分析技術(shù)無法找到的故障,提升電性失效分析的成功率。納米探測還可提供所需的精確定位,以確保薄 TEM 樣品完全包含故障,極大地提高了 TEM 工作流程的成功率。最 后,當(dāng)納米探測通過精確的電氣表征來定位故障時,利用納米探測的 TEM 工作流程可結(jié)合 TEM 物性故障分析與電氣故障特征,有助于將工藝控制改進(jìn)與器件性能相關(guān)聯(lián)。

Thermo Fisher Scientific 是為工藝和器件良率提升提供 TEM 工作流程的領(lǐng) 導(dǎo)者,具有廣泛采用的解決方案,用于納米探測樣品制備、納米探測、TEM樣品制備和 TEM 物理故障分析。


nProber IV 系統(tǒng)的主要特點(diǎn)

領(lǐng)先的晶體管探測

nProber IV SteadFast 納米操縱器與溫度控制的探測環(huán)境相結(jié)合,使探針具有與領(lǐng)先的晶體管配合工作所需的穩(wěn)定性。

敏感樣品的高分辨率成像

nProber IV 系統(tǒng)的新 LEEN2 柱支持低至 100 eV 的探測操作,并包括一個可將樣品劑量降低 30% 的高級控制系統(tǒng)。這些進(jìn)步使 nProber IV 系統(tǒng)能夠準(zhǔn)確測量關(guān)鍵晶體管參數(shù),同時盡可能減少 SEM成像的偏移。

指導(dǎo)性操作和自動化

nProber IV 系統(tǒng)配備 eFast 半自動指導(dǎo)性工作流程,可幫助您完成從樣品加載到電氣表征的系統(tǒng)操作。eFast 軟件可自動設(shè)置 LEEN2 柱并控制關(guān)鍵子系統(tǒng),確保在多用戶生產(chǎn)環(huán)境中實現(xiàn)一致的結(jié)果。

3D 結(jié)構(gòu)

nProber IV 系統(tǒng)可配備 EBIRCH2 和 EBAC,以發(fā)現(xiàn)低至 ~100 ? 的 3D 互連結(jié)構(gòu)中的關(guān)鍵故障。EBIRCH2 還可用于定位 FinFET 晶體管中的關(guān)鍵缺陷。

此外,nProber IV 系統(tǒng)可配備一個子載物臺,使探針能夠隔開許多毫米,這對于大型 3D NAND 結(jié)構(gòu)中的故障隔離至關(guān)重要。

電阻柵故障

nProber IV 系統(tǒng)可以利用上升時間小于 1 ns 的高速脈沖探測來隔離電阻柵故障。

自動化

我們的 easyProbe 軟件可自動執(zhí)行 nProber IV 工作流程中的關(guān)鍵步驟,包括:清潔探針、將探針降低至樣品以及優(yōu)化探針與樣品之間的電氣接觸。easyProbe 軟件可顯著減少使用 nProber IV 系統(tǒng)所需的培訓(xùn),并允許長時間的無人照看操作。

自動可靠性

可選的熱表征封裝支持近期自動可靠性標(biāo)準(zhǔn)。樣品溫度可在 -40°C 至 150°C 之間進(jìn)行控制,以隔離在環(huán)境溫度下無法檢測到的故障。

 

nProber IV系統(tǒng)相關(guān)應(yīng)用

半導(dǎo)體探索和開發(fā)

先進(jìn)的電子顯微鏡、聚焦離子束和相關(guān)半導(dǎo)體分析技術(shù)可用于識別制造高性能半導(dǎo)體器件的可行解決方案和設(shè)計方法。


半導(dǎo)體故障分析

越來越復(fù)雜的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)導(dǎo)致更多隱藏故障引起的缺陷的位置。我們的新一代半導(dǎo)體分析工作流程可幫助您定位和表征影響量產(chǎn)、性能和可靠性的細(xì)微的電子問題。


物理和化學(xué)表征

持續(xù)的消費(fèi)者需求推動了創(chuàng)建更小型、更快和更便宜的電子設(shè)備。它們的生產(chǎn)依賴高效的儀器和工作流程,可對多種半導(dǎo)體和顯示設(shè)備進(jìn)行電子顯微鏡成像、分析和表征。


電源半導(dǎo)體設(shè)備分析

電源設(shè)備讓定位故障面臨獨(dú)特的挑戰(zhàn),主要是由于電源設(shè)備結(jié)構(gòu)和布局。我們的電源設(shè)備分析工具和工作流程可在工作條件下快速實現(xiàn)故障定位并提供精確、高通量的分析,以便表征材料、接口和設(shè)備結(jié)構(gòu)。



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