樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像

最終樣品制備 (TEM薄片，APT)

STEM 亞納米成像與樣品制備

SEM

著陸電壓

20 eV~30 keV

20 eV~30 keV

分辨率

0.6 nm@15 keV

1.0 nm@1 keV

0.6 nm@2 keV

0.7 nm@1 keV

1.0 nm@500 eV

STEM

分辨率@30 keV

0.7 nm

0.6 nm

0.3 nm

FIB制備過程

最大材料去除束流

65 nA

100 nA

65 nA

最終最優(yōu)拋光電壓

2 kV

500 V

TEM樣品制備

樣品厚度

50 nm

15 nm

7 nm

自動化

否

是

是

樣品處理

行程

110×110×65 mm

110×110×65 mm

150×150×10 mm

100×100×20 mm

100×100×20 mm+5軸（S）TEM Compustage

快速進(jìn)樣器

手動

自動

手動

自動

自動+自動插入/提取STEM 樣品桿

離子光學(xué)

具有卓越的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒

具有卓越的大束流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒

離子束電流范圍

1 pA – 100 nA

1 pA – 65 nA

加速電圧

500 V – 30 kV

500 V – 30 kV

最大水平視場寬度

在束重合點處為0.9 mm

在束重合處點為0.7 mm

離子源壽命

1,000 小時

1,000 小時

兩級差分抽吸

兩級差分抽吸

飛行時間校準(zhǔn)

飛行時間校準(zhǔn)

15孔光闌

15孔光闌

電子光學(xué)

Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒

Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒

磁浸沒物鏡

磁浸沒物鏡

高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流

高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流

電子束分辨率

最佳工作距離下

0.6 nm @ 30 kV STEM

0.6 nm @ 30 kV STEM

0.6 nm @ 15 kV

0.7 nm @ 1 kV

1.0 nm @ 1 kV

1.0 nm @ 500 V (ICD)

0.9 nm @ 1 kV 減速模式*

在束流重合點

0.6 nm @ 15 kV

0.6 nm @ 15 kV

1.5 nm @ 1 kV 減速模式* 及 DBS*

1.2 nm @ 1 kV

電子束參數(shù)

電子束流范圍

0.8 pA ~ 176 nA

0.8 pA ~ 100 nA

加速電壓范圍

200 V ~ 30 kV

350 V ~ 30 kV

著陸電壓

20 eV ~ 30 keV

20 eV ~ 30 keV

最大水平視場寬度

2.3 mm @ 4 mm WD

2.3 mm @ 4 mm WD

探測器

Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE)

Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (ICD)*

Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測器 (MD)*

樣品室內(nèi) Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD)

紅外相機

高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測器 (SE)*

樣品室內(nèi) Nav-Cam 導(dǎo)航相機*

可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測器 (DBS)*

可伸縮STEM 3+ 探測器*

電子束流測量

樣品臺和樣品

樣品臺

高度靈活的五軸電動樣品臺

壓電陶瓷驅(qū)動 XYR 軸的高精度五軸電動工作臺

XY

110 mm

150 mm

Z

65 mm

10 mm

R

360° (連續(xù))

360° (連續(xù))

傾斜

-15° ~ +90°

-10° ~ +60°

最大樣品高度

與優(yōu)中心點間隔 85 mm

與優(yōu)中心點間隔 55 mm

最大樣品質(zhì)量

樣品臺任意位置 500 g

樣品臺任意位置 500 g

 0° 傾斜時最大 5 kg

最大樣品尺寸

直徑 110 mm可沿樣品臺旋轉(zhuǎn)時

直徑 150 mm可沿樣品臺旋轉(zhuǎn)時

優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜

優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜