產(chǎn)品簡介

Pioneer 120 Advanced PLD System 是一個用于制備高質(zhì)量的外延薄膜獨立的系統(tǒng)、多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)和各種材料的超晶格。這個PLD系統(tǒng)和the Pioneer 120 PLD System 的主要區(qū)別是襯底加熱階段。先鋒120采用導電加熱階段，而Pioneer 120 Advanced PLD System 采用輻射加熱階段。加熱器可兼容1大氣壓(760托)的氧氣，這是一特性用于制備外延氧化膜，需要(i)沉積在氧氣中，(ii)沉積后退火在氧氣中，以及在接近1大氣壓的氧氣中冷卻。由于基底不與加熱器直接連接，可以連續(xù)旋轉(zhuǎn)360度。襯底也可以負載鎖定。

這個脈沖激光沉積系統(tǒng)包括一個自動多目標轉(zhuǎn)盤，帶有目標旋轉(zhuǎn)、目標光柵和軟件控制的多層和超晶格沉積所需的目標選擇。閉環(huán)壓力控制提供了使用質(zhì)量流量控制器的精確過程壓力控制。干式泵是由機械隔膜泵或渦旋泵支持的渦輪分子泵組合而成。該系統(tǒng)軟件(Windows 7, LabView 2013) 控制基材加熱器、目標轉(zhuǎn)盤、過程壓力、系統(tǒng)泵和激光觸發(fā)。由于襯底可以轉(zhuǎn)移，可進行多種選擇。這些包括但不限于將PLD系統(tǒng)與各種其他沉積平臺(如超高真空濺踱系統(tǒng))集成，也與超高真空分析系統(tǒng)(如XPS/ARPES等)集成。

產(chǎn)品特點

1、獨立的交鑰匙PLD系統(tǒng)。 

2、外延薄膜、多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格的沉積。

3、利用原位RHEED診斷技術(shù)沉積納米級薄膜。

4、氧化膜沉積的氧相容性。

5、升級:負載鎖定，激光加熱器，RF/DC濺射，組合PLD

6、與超高真空濺踱系統(tǒng)集成。

7、與XPS /ARPES超高真空集群工具集成。

技術(shù)指標

1、襯底尺寸：10mm x10mm到直徑2英寸

2、沉積室：直徑12英寸

3、基地真空：5 x 10^-7 Torr標準；5 x 10^-9 Torr，超高真空升級

4、襯底溫度：850°C，輻射加熱器，氧兼容

5、多目標傳送帶：6 × 1英寸或3 × 2英寸

6、質(zhì)量流量控制器(s)：一個MFC氧氣是標準的，更多的MFC是可選的

7、軟件控制：Windows 7, Labview 2013

8、升級：RHEED, RF-DC濺射/ DC離子源，LAXS, IES，激光加熱器