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低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡 - attoAFM/attoMFM/attoSHPM系統(tǒng)

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產(chǎn)品特點

attoAFM/attoMFM/attoSHPM采用模塊化的設(shè)計。利用標配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應(yīng)的光學部件即可實現(xiàn)不同功能之間的切換。

納米尺度下的磁學圖像對于研究磁性材料和超導樣品是非常重要的，利用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系統(tǒng)，科學家可以在無以倫比的空間分辨率（20nm）和磁場敏感性下分析樣品磁性，工作溫度從極低溫、強磁場到室溫。

低溫強磁場磁力顯微鏡 - attoMFM I系統(tǒng)

attoMFM I采用緊湊設(shè)計，其主要用于低溫和極低溫環(huán)境中。在掃描時，探針是固定的，而進行樣品掃描。樣品與探針之間的磁力梯度由光纖干涉的模式，通過測量共振頻率或相位變化而確定。

在實驗過程中，樣品和探針保持一定的距離，典型值為10-100nm。工作在共振頻率模式時，PLL用于激發(fā)微懸臂，進行閉環(huán)掃描，實現(xiàn)極高的空間分辨率（10.7nm，如下圖）。

attoMFM I特點與技術(shù)優(yōu)勢		attoMFM I技術(shù)參數(shù)
+ 工作模式：MFM、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM、導電AFM、EFM + 可升級到SHPM、共聚焦顯微鏡、SNOM和STM + 5X5X5mm粗定位范圍，4K + 30umX30um掃描范圍，4K + MFM極高空間分辨率：好于11nm + 變溫范圍：mK - 373K + 兼容強磁場：可達15Tesla + 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器，如Quantum Design-PPMS系統(tǒng) + 極其緊湊和可靠MFM掃描頭設(shè)計 + 閉環(huán)式掃描模式 + 外置CCD，用于檢測低溫環(huán)境中樣品的位置 + 用于超導體的vortex分布與定扎測量 + 磁性顆粒的局域場測量 + 磁化率和磁滯回線測量 + 超導、磁疇、材料科學研究		+ 樣品定位范圍：5 X 5 X 5mm，4K + 樣品位移步長：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K + 掃描范圍：40X40 um @300K；30X30 um @4K + 磁場強度： 0 -15Tesla (取決于磁體） + 變溫范圍：mK - 300K （取決于恒溫器） + 工作真空環(huán)境：1X10-6mbar - 1bar（He交換氣氛） + MFM側(cè)向分辨率：好于20nm + RMS z-noise水平（4K）：0.05nm + z bit分辨率（全范圍內(nèi)）：7.6pm + z bit分辨率（掃描范圍內(nèi)）：0.12pm

低溫強磁場掃描霍爾顯微鏡- attoSHPM系統(tǒng)

attoSHPM采用緊湊設(shè)計，其主要用于低溫和極低溫環(huán)境中。其探針是采用MBE生長的GaAs/AlGaAs霍爾傳感器。局域測量通過霍爾探針在樣品表面進行掃描而實現(xiàn)，將測得的霍爾電壓進行轉(zhuǎn)換，即可計算出局域磁場強度。

attoSHPM特點與技術(shù)優(yōu)勢		attoSHPM技術(shù)參數(shù)
+ 可升級到MFM、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM、導電AFM、EFM、共聚焦顯微鏡、SNOM和STM + 5X5X5mm粗定位范圍，4K + 30umX30um掃描范圍，4K + 變溫范圍：mK - 373K + 兼容強磁場：可達15Tesla + 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器，如Quantum Design-PPMS系統(tǒng) + 極其緊湊和可靠SHPM掃描頭設(shè)計 + 定量和非破壞性磁性測量，mK溫度 + 閉環(huán)式掃描模式 + 用于超導體的vortex分布與定扎測量 + 磁性顆粒的局域場測量 + 磁化率和磁滯回線測量 + 超導、磁疇、材料科學研究		+ 利用STM原理/音叉模式探測樣品與探針之間的距離 + 樣品定位范圍：5 X 5 X 5mm，4K + 樣品位移步長：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K + 掃描范圍：40X40 um @300K；30X30 um @4K + 磁場強度： 0 -15Tesla (取決于磁體） + 變溫范圍：mK - 300K （取決于恒溫器） + 工作真空環(huán)境：1X10-6mbar - 1bar（He交換氣氛） +SHPM探針：MBE生長的GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié) + 分辨率：250nm超高分辨 + z bit分辨率，300K ：0.065nm，4.3um掃描范圍 + 側(cè)向（xy）bit分辨率，4K：0.18nm，12um掃描范圍 + z bit分辨率，4K：0.030nm，2um掃描范圍