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日本 離子束刻蝕系統(tǒng)Elionix

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詳細介紹

EIS-200Elionix推出的一款基于電子回旋共振技術(shù)(ECR)的小型離子束蝕刻系統(tǒng),特別適合于科研用離子束刻蝕、減薄,清洗、鍍膜等。

EIS-200原理:

 

利用ECR技術(shù)產(chǎn)生高能Ar+離子束,Ar+離子束通過電場加速到達樣品表面,對樣品進行物理的轟擊達到刻蝕作用。

EIS-200具有以下優(yōu)點:

?   方向性好,各向異性,陡直度高,側(cè)向刻蝕少

?   分辨率高

?   不受刻蝕材料限制,可對石英等材料進行蝕刻

?   可控制蝕刻Taper角

?   可以設(shè)定多樣的實驗條件

二、主要功能

l  主要應(yīng)用

納米圖案刻蝕

高深寬比蝕刻

表面清潔

離子減薄

l  技術(shù)能力

離子槍

ECR型離子槍

離子化氣體

Ar、Xe等、惰性離子氣體

N2、O2、CF4等、活性離子氣體

加速電壓

100V~3000V 連續(xù)可變(高加速電壓可選) (輸出電流20mA MAX)

離子束流密度

Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時)

O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時)

離子束有效直徑

Φ20mm(FWHM35mm)

離子束穩(wěn)定度

±3%/2H

大樣品尺寸

Φ4英寸

 

 


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