設備規(guī)格:

適應于 2英寸-12英寸 晶圓或者至多支持 300mmx300mm 樣品；

退火溫度范圍 300℃-1000℃；

升溫速率 ≦100℃/sec(裸片)；

溫度均勻性 ≦±1%；

真空腔體（可選配常壓腔體或正壓腔體）；

冷卻方式包括水冷和氮氣吹掃；

MFC控制，3-5路制程氣體。

應用領域:

快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；

離子注入/接觸退火；

金屬合金；

熱氧化處理；

化合物合金（砷化鎵、氮化物等）；

多晶硅退火；

太陽能電池片退火；

高溫退火；

高溫擴散。