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全自動(dòng)半導(dǎo)體清洗機(jī) 濕法清洗

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產(chǎn)品特點(diǎn)

全自動(dòng)半導(dǎo)體清洗機(jī)專為晶圓、封裝及半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì),集成濕法/干法清洗技術(shù),實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化上下料、化學(xué)噴淋、超聲波振蕩、等離子處理及干燥全流程。設(shè)備采用模塊化設(shè)計(jì),支持多工藝組合,精準(zhǔn)控制溫度、壓力、流量等參數(shù),確保顆粒、有機(jī)物及氧化物高效去除。兼容2-12吋晶圓,具備高潔凈度(如Class 10級(jí)環(huán)境)與低缺陷率(<0.1%)優(yōu)勢(shì)。智能化系統(tǒng)支持?jǐn)?shù)據(jù)追溯與遠(yuǎn)程監(jiān)控,廣泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝、MEMS制造等領(lǐng)

詳細(xì)介紹

全自動(dòng)半導(dǎo)體清洗機(jī)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓、器件表面污染物的關(guān)鍵設(shè)備,通過(guò)集成多種清洗技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效、高精度的清潔流程。以下是其詳細(xì)介紹:

一、功能與技術(shù)原理

主要功能

清除半導(dǎo)體材料表面的有機(jī)物、無(wú)機(jī)物、金屬顆粒及氧化物。

適用于晶圓、封裝部件、半導(dǎo)體器件等清洗,滿足納米級(jí)潔凈度要求。

兼容濕法(化學(xué)清洗)和干法(等離子清洗)工藝,支持定制化組合。

技術(shù)原理

濕法清洗:通過(guò)化學(xué)溶劑(如SPM、HMDS)或水基溶液,結(jié)合超聲波、噴淋、浸泡等方式,分解污染物并沖刷去除。

干法清洗:利用等離子體(如氧、氟基氣體)產(chǎn)生的活性粒子,通過(guò)物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)清潔,無(wú)液體殘留。

超聲波輔助:高頻振動(dòng)產(chǎn)生空化效應(yīng),增強(qiáng)液體滲透性,徹底清除微小顆粒及孔隙內(nèi)污垢。

二、結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵模塊

核心組件

清洗腔體:采用耐腐蝕材料(如PTFE、石英玻璃),支持多槽分段清洗(如預(yù)洗、主洗、漂洗)。

傳輸系統(tǒng):全自動(dòng)機(jī)械臂或傳送帶實(shí)現(xiàn)上下料,避免人工接觸污染。

溫控與流體控制:精確調(diào)節(jié)清洗液溫度、壓力及流速,確保工藝穩(wěn)定性。

輔助系統(tǒng)

尾氣處理模塊:針對(duì)干法清洗產(chǎn)生的氣態(tài)副產(chǎn)物(如氟化物),配備凈化裝置。

干燥單元:熱風(fēng)烘干、IPA脫水或真空干燥,防止水痕殘留。

過(guò)濾與回收:循環(huán)過(guò)濾系統(tǒng)提高清洗液利用率,降低耗材成本。

三、典型工藝流程

濕法清洗流程

上料 → 預(yù)清洗(去除大顆粒) → 化學(xué)清洗(如SPM腐蝕) → 漂洗(去離子水) → 干燥 → 下料。

干法清洗流程

上料 → 等離子體處理(氣體放電) → 氣相沖洗 → 真空干燥 → 下料。

優(yōu)勢(shì):無(wú)液體殘留,適合敏感材料(如砷化鎵、碳化硅)。

四、優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用場(chǎng)景

核心優(yōu)勢(shì)

高效性:自動(dòng)化流程縮短周期,支持批量處理(如一次清洗25片晶圓)。

準(zhǔn)確性:PLC控制參數(shù)(溫度、時(shí)間、壓力),確保一致性(如顆粒去除率>99.9%)。

安全性:封閉結(jié)構(gòu)+防爆設(shè)計(jì),避免化學(xué)泄漏或氣體污染。

環(huán)保性:清洗液循環(huán)利用,廢液處理符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

應(yīng)用領(lǐng)域

晶圓制造:光刻前清潔、蝕刻后殘留去除。

封裝測(cè)試:引線框架、芯片背面清潔。

功率半導(dǎo)體:IGBT、二極管等器件清洗。

光學(xué)器件:透鏡、窗口片的高精度清潔。

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