-
-
四探針電阻率檢測儀
- 品牌:北京北廣精儀
- 型號: BEST-300C
- 產(chǎn)地:北京 海淀區(qū)
- 供應(yīng)商報(bào)價(jià):¥20000
-
北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
更新時(shí)間:2025-05-07 08:08:33
-
銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品導(dǎo)電和防靜電材料體積電阻率測試儀(34件)
立即掃碼咨詢
聯(lián)系方式:400-855-8699轉(zhuǎn)8003
聯(lián)系我們時(shí)請說明在儀器網(wǎng)(m.yn180.com)上看到的!
掃 碼 分 享 -
為您推薦
產(chǎn)品特點(diǎn)
- 四探針電阻率檢測儀實(shí)驗(yàn)室溫度建議控制在25±2°C,濕度<60%以保障數(shù)據(jù)一致性。
詳細(xì)介紹
四探針電阻率檢測儀高精度測量:測試范圍覆蓋10^-8~10^8 Ω·cm,分辨率達(dá)0.1%,滿足半導(dǎo)體、新能源材料等多場景需求; 智能化操作:配備觸摸屏控制及數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲(chǔ)功能,支持PC端數(shù)據(jù)分析,提升檢測效率; 穩(wěn)定可靠:采用抗干擾設(shè)計(jì),適應(yīng)實(shí)驗(yàn)室及產(chǎn)線環(huán)境,確保長期穩(wěn)定運(yùn)行; 定制化服務(wù):可根據(jù)客戶需求調(diào)整測試模式,兼容不同材料形態(tài)(薄膜、塊體、粉末等)。
四探針電阻率檢測儀廣泛應(yīng)用于新能源汽車、半導(dǎo)體、電子材料等行業(yè),適用于石墨烯、碳納米管、鋰電材料等半導(dǎo)電材料的電阻率測試,是研發(fā)與質(zhì)量控制的關(guān)鍵工具。
規(guī)格型號
300c
電阻
10-7~2×107Ω
2.電阻率范圍
10-8~2×108Ω-cm
3.電導(dǎo)率
5×10-8~108s/cm
4.測試電流范圍
1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,1000mA
5.測量電壓量程
測量電壓量程:2mV 20mV 200mV 2V
測量精度:±(0.1%讀數(shù))
分辨率: 0.1uV 1uV 10uV 100uV
6.電流精度
±0.1%讀數(shù)
7.電阻精度
≤0.3%
8.顯示讀數(shù)
液晶顯示:電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、單位自動(dòng)換算、橫截面、高度、電流、電壓等
9.測試方式
四端測量法
10.測量裝置(治具)
選購
1.標(biāo)準(zhǔn)方體和圓柱體測量裝置:測試行程:L70mm*W:60mm
2.定制治具
11.工作電源
AC 220V±10%.50Hz功 耗:<30WH
12. 主機(jī)外形尺寸
約330mm*350mm*120mm
13.凈重量
約6kgNet
14.標(biāo)配外選購
1.標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)電阻1-5個(gè);2.PC軟件一套;3.電腦和打印機(jī)依據(jù)客戶要求配置;4.計(jì)量證書1份
導(dǎo)體材料電阻率測試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測量方法提要探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 Nˉ0.8N兩種。以下文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。但凡注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括訂正的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件,其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T 1552硅、儲(chǔ)單晶電阻率測定直排四探針法樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合GB/T152 中的規(guī)定。樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn)360"的裝置。其誤差不大于士5",測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1,范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層,方塊電阻的測量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量,但其測量準(zhǔn)確度尚未評估。使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件,測量兩內(nèi)操針之間的電位差,引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子,計(jì)算出薄層電阻。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法,液晶顯示,自動(dòng)測量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測量,對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響.
采用四探針組合雙電測量方法,液晶顯示,自動(dòng)測量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測量,對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響.
概述:采用四端測量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,實(shí)驗(yàn)室;是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具。可配置不同測量裝置測試不同類型材料之電阻率。液晶顯示,溫度補(bǔ)償功能,自動(dòng)量程,自動(dòng)測量電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出;選配:PC軟件過程數(shù)據(jù)處理和標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器,薄膜按鍵操作簡單,中文或英文兩種語言界面選擇,電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表,量程為1mVˉ100mV,分辨率為0.1%,直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距,四探針應(yīng)以等距離直線排列,探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中的規(guī)定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R,)計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比,由表3中查出修正因子F,也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子。 9.4計(jì)算幾何修正因子F,見式(4)。對于薄層厚度小于3μm的試樣,選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針,針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試樣,選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針,針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。.定。歐嬌表,能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻,溫度針0℃-40℃,小刻度為0.1℃。光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會(huì)影響測試結(jié)果,甲醇、99.5%,干燥氮?dú)?。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針,針實(shí)半徑分別為35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)電壓表輸入阻抗會(huì)引入測試誤差,硅片幾何形狀,表面粘污等會(huì)影響測試結(jié)果,R(TD-R_xF式中:計(jì)算每一測量位置的平均電阻R.,見式(3).試劑優(yōu)級純,純水,25℃時(shí)電阻率大于2MN.cm,s=號(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..計(jì)算每一測量位置在所測溫度時(shí)的薄層電阻(可根據(jù)薄層電阻計(jì)算出對應(yīng)的電阻率并修正到23℃,具體見表4)見式(5).用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上,試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長,到達(dá)熱平衡時(shí),試樣溫度為23 ℃±1℃.接通電流,令其任一方向?yàn)檎?,調(diào)節(jié)電流大小見表1測量范圍電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□電 阻:1×10-5~2×105 Ω ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω 材料尺寸(由選配測試臺(tái)決定和測試方式?jīng)Q定)直 徑:A圓測試臺(tái)直接測試方式 Φ15~130mm, 方測試臺(tái)直接測試方式180mm×180mm, 長(高)度:測試臺(tái)直接測試方式 H≤100mm
操作人員必須隨時(shí)給予教育和訓(xùn)練,使其了解各種操作規(guī)則的重要性,并依安全規(guī)則操作。
衣著規(guī)定操作人員不可穿有金屬裝飾的衣服或戴金屬手飾和手表等,這些金屬飾物很容易造成意外的感電。
醫(yī)學(xué)規(guī)定不能讓有心臟病或配戴心律調(diào)整器的人員操作。
測試安全程序規(guī)定一定要按照規(guī)定程序操作。操作人員必須確定能夠完全自主掌控各部位的控制開關(guān)和功能。
安全要點(diǎn)合格的操作人員和不相關(guān)的人員應(yīng)遠(yuǎn)離測試區(qū)。萬一發(fā)生問題,請立即關(guān)閉電源并及時(shí)處理故障原因。
儀器安裝要點(diǎn)安裝簡介本章主要介紹產(chǎn)品的拆封、檢查、使用前的準(zhǔn)備等的規(guī)則。拆封和檢查產(chǎn)品是包裝在一個(gè)使用木箱泡綿保護(hù)的包裝箱內(nèi),如果收到時(shí)的包裝箱有破損,請檢查機(jī)器的外觀是否有無變形、刮傷、或面板損壞等。如果有損壞,請立即通知制造廠或其經(jīng)銷商。并請保留包裝箱和泡綿,以便了解發(fā)生的原因。我們的服務(wù)中心會(huì)幫您解決。在未通知制造廠或其經(jīng)銷商前,請勿立即退回產(chǎn)品。使用前的準(zhǔn)備 輸入電壓輸入220V,有穩(wěn)定的電流和電壓環(huán)境
使用的周圍環(huán)境條件
。易燃易爆空氣環(huán)境 。不穩(wěn)定的工作臺(tái)面.
。陽光直射的地方. 。潮濕的地方.
。腐蝕性的空氣環(huán)境. 。空氣污染灰塵重.
儲(chǔ)存和運(yùn)輸周圍環(huán)境儀器可以在下列的條件下儲(chǔ)存和運(yùn)輸:
周圍溫度……………………………………10°到60°C
高度………………………………………………7620公尺(25000英尺)
本機(jī)必須避免溫度的急劇變化,溫度急劇變化可能會(huì)使水氣凝結(jié)于機(jī)體內(nèi)部。
原始包裝:請保留所有的原始包裝材料,如果機(jī)器必須回廠維修,請用原來的包裝材料包裝。并請先與制造廠的維修中心聯(lián)絡(luò)。送修時(shí),請務(wù)必將全部的附件一起送回,請注明故障現(xiàn)象和原因。另外,請?jiān)诎b上注明“易碎品”請小心搬運(yùn)。
四探針電阻測試儀的測試原理基于?電流-電壓分離測量法?,通過消除接觸電阻和引線電阻的影響實(shí)現(xiàn)高精度測量。其核心工作原理如下:
一、基本測量原理
?探針布置與功能分工?
四個(gè)探針以直線或矩形排列接觸被測樣品表面,外側(cè)兩探針(1、4號)連接恒流源施加穩(wěn)定電流,內(nèi)側(cè)兩探針(2、3號)連接高精度電壓表測量電勢差。?電流探針?:驅(qū)動(dòng)電流注入樣品形成電場分布。
?電壓探針?:檢測非電流路徑位置的電壓差,避免接觸電阻干擾。
?電阻率計(jì)算模型?
根據(jù)電勢場分布規(guī)律,電阻率(ρ)計(jì)算公式為:二、關(guān)鍵設(shè)計(jì)特性
?開爾文四線法優(yōu)化?通過獨(dú)立電流回路和電壓測量回路,消除引線電阻的影響,確保測量僅反映樣品本身特性。
?探針配置適應(yīng)性?
直線排列?:適用于大尺寸塊狀或板狀樣品,探針間距可調(diào)。
?矩形/正方形排列?:適合細(xì)長條狀或棒狀樣品,減少邊緣效應(yīng)干擾。
?儀器硬件特性?
探針采用碳化鎢材質(zhì),配合寶石導(dǎo)套和彈簧壓力裝置,確保接觸穩(wěn)定性和耐久性。
數(shù)字電壓表分辨率達(dá)0.1μV,支持自動(dòng)量程切換和極性調(diào)節(jié)。
三、適用場景與優(yōu)勢
?主要應(yīng)用?
廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓、金屬薄膜、陶瓷等材料的電阻率和方阻測量,尤其適合微區(qū)或局部電學(xué)特性分析。?技術(shù)優(yōu)勢?
?非破壞性?:表面接觸測量,不干擾材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
?高精度?:修正系數(shù)(如η/F)可適配不同幾何形狀樣品,減小邊緣效應(yīng)誤差。
?環(huán)境穩(wěn)定性?:測量結(jié)果受溫濕度等外部條件影響小。
四、典型儀器結(jié)構(gòu)示例(以BEST-300C型為例)
?電氣模塊?:集成恒流源、高精度電壓檢測及數(shù)字處理單元,支持電阻率/方阻自動(dòng)切換顯示。
?機(jī)械結(jié)構(gòu)?:配備高度粗調(diào)/細(xì)調(diào)裝置和壓力自鎖機(jī)構(gòu),確保探針接觸壓力均勻可控
四探針電阻測試儀的應(yīng)用領(lǐng)域與優(yōu)勢
一、四探針電阻測試儀應(yīng)用領(lǐng)域
四探針電阻測試儀憑借其高精度和非破壞性特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
?半導(dǎo)體行業(yè)?
?硅片檢測?:測量半導(dǎo)體晶圓的電阻率,確保器件電學(xué)性能符合設(shè)計(jì)要求。
?摻雜均勻性評估?:通過電阻率分布分析,驗(yàn)證摻雜工藝的均勻性和一致性。
?擴(kuò)散層薄層電阻測量?:利用PN結(jié)隔離效應(yīng),檢測半導(dǎo)體擴(kuò)散層的導(dǎo)電特性。
?新能源與太陽能材料?
?太陽能電池效率優(yōu)化?:測量光電材料的電阻率,為提升光電轉(zhuǎn)換效率提供數(shù)據(jù)支持。
?薄膜太陽能電池質(zhì)量監(jiān)控?:監(jiān)測薄膜材料的電阻率,確保生產(chǎn)工藝穩(wěn)定性。
?導(dǎo)電材料與薄膜技術(shù)?
?導(dǎo)電薄膜(如ITO、金屬膜)?:評估薄膜的電阻率與均勻性,適用于微電子器件和傳感器研發(fā)。
?新型導(dǎo)電材料(石墨烯、納米材料)?:量化導(dǎo)電性能,支持材料研究與開發(fā)。
?電池與能源行業(yè)?
?鋰離子電池極片電阻測量?:分析極片導(dǎo)電劑分布狀態(tài),優(yōu)化漿料配方與涂布工藝。
?燃料電池電極性能測試?:檢測電極材料的導(dǎo)電特性,提升電池輸出效率。
?科研與工業(yè)檢測?
?大尺寸樣品直接測量?:支持150mm樣品或6英寸晶圓的快速掃描,無需特殊制樣。
?復(fù)雜形狀材料分析?:適用于塊狀、棒狀、薄膜等多種形態(tài)的材料測試。
二、四探針電阻測試儀技術(shù)優(yōu)勢
?非破壞性測量?
表面接觸式測試,避免對材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成損傷,適用于貴重或精密器件。
?高精度與重復(fù)性?
采用獨(dú)立電流-電壓分離回路設(shè)計(jì),消除接觸電阻和引線電阻干擾,誤差<1%。
紅寶石軸承與碳化鎢探針組合,確保機(jī)械穩(wěn)定性和動(dòng)態(tài)測試重復(fù)性(<0.2%)。
?廣泛適用性?
支持電阻率范圍覆蓋10??–10? Ω·cm,適用于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等各類材料。
探針間距可調(diào)配置(直線/矩形排列),適配不同形狀樣品,減小邊緣效應(yīng)誤差。
?操作便捷與環(huán)境穩(wěn)定性?
無需復(fù)雜制樣,可直接在工件或器件表面進(jìn)行測量。
測量結(jié)果受溫濕度影響小,適用于實(shí)驗(yàn)室與工業(yè)現(xiàn)場環(huán)境。
?智能硬件與高效分析?
集成恒流源(0.5–2mA)、高分辨率電壓表(0.1μV)及自動(dòng)校準(zhǔn)功能。
支持電阻率/方阻自動(dòng)計(jì)算,搭配掃描功能生成材料電學(xué)特性分布圖。
通過以上特性,四探針電阻測試儀成為材料電學(xué)性能檢測的核心工具,兼顧科研創(chuàng)新與工業(yè)質(zhì)量控制需求
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)電電阻率測試 半導(dǎo)電絕緣電阻率測試
相關(guān)產(chǎn)品