產(chǎn)品介紹：

納米粒度和Zeta電位及分子量分析儀

Zetasizer Nano ZS是一臺高性能雙角度顆粒粒度及分子大小分析儀，采用動態(tài)光散射法，結(jié)合“NIBS”光學(xué)器件，可增強(qiáng)對聚集體的檢測，還可測量小尺寸或稀釋樣品，以及極低濃度或高濃度樣品。 ZSP還包含了電泳光散射法表征顆粒、分子及表面檢測的zeta電位分析儀，以及靜態(tài)光散射法表征分子量。

與使用90度散射光學(xué)器件的系統(tǒng)相比，該系統(tǒng)采用非侵入式背散射光學(xué)器件（NIBS），使性能得到顯著提升。另外，提供的微觀流變學(xué)選件可測量樣品粘性與粘彈特性，以及可進(jìn)行蛋白質(zhì)遷移率測量的蛋白質(zhì)測量選件。流動模式選件使該系統(tǒng)可與SEC或FFF系統(tǒng)連接，作為蛋白質(zhì)或納米顆粒粒度檢測器使用。此外，還有用于粘性或高濃度樣品或表面zeta電位測量的樣品池可供選擇，從可拋棄性樣品池到特定的樣品池，一應(yīng)俱全。

Zetasizer Nano ZS在一個(gè)單一的緊湊裝置中包含了三種技術(shù)，且擁有一系列選件及附件，以便優(yōu)化并簡化不同樣品類型的測量。

動態(tài)光散射法用于測量粒度及分子大小。 該技術(shù)可測量布郎運(yùn)動下移動顆粒的擴(kuò)散情況，并采用斯托克斯-愛因斯坦關(guān)系將其轉(zhuǎn)化為粒度與粒度分布。 內(nèi)置的非侵入式背散射技術(shù)（NIBS）使系統(tǒng)具有最高的靈敏度以及最高的粒度及濃度范圍。

檢測粒徑隨濃度的變化還可以得到動態(tài)光散射相互作用力因子Kd。

微流變選件采用DLS檢測蹤粒子的運(yùn)動，以得到極稀的聚合物與蛋白質(zhì)溶液的結(jié)構(gòu)。

激光多普勒微量電泳法可用于測量zeta電位。 分子和顆粒在施加的電場作用下做電泳運(yùn)動，其運(yùn)動速度和zeta電位直接相關(guān) 使用ZG型激光相干技術(shù) M3-PALS （相位分析光散射法）檢測其速率。 從而實(shí)現(xiàn)電泳遷移率的計(jì)算，并得出ZETA電位及ZETA電位分布情況。

表面zeta電位附件使用示蹤粒子來測量靠近樣品表面的電滲并計(jì)算表面的zeta電位。

靜態(tài)光散射法用于確定蛋白質(zhì)與聚合物的分子量。 在此檢測方法中，檢測不同濃度下樣品的散射光強(qiáng)，并且繪制Debye曲線。 由此，可計(jì)算出平均分子量及第二維里系數(shù)，從而得到分子溶解程度。

該技術(shù)對整個(gè)系統(tǒng)的靈敏度及穩(wěn)定性要求極高，并需要對設(shè)計(jì)的每個(gè)元件進(jìn)行優(yōu)化，以確保精確性及重復(fù)性。

主要參數(shù)：

測量的參數(shù)：
顆粒和分子尺寸、平動擴(kuò)散、電泳遷移率、高低濃度下顆粒的zeta電位、高分子和蛋白質(zhì)溶液的粘度和粘彈性、濃度、分子量、A2, kD。

顆粒粒度及分子大小

測量范圍：0.3nm-10.0μm^*（直徑）

測量原理：動態(tài)光散射法

最小樣品容積：12μL

精確度：優(yōu)于NIST可追溯膠乳標(biāo)準(zhǔn)的+/-2%

精確度 / 可重復(fù)性：優(yōu)于NIST可追溯膠乳標(biāo)準(zhǔn)的+/-2%

靈敏度：0.1mg/mL

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• （溶菌酶）Zeta 電位 （以及選裝的蛋白質(zhì)遷移率）

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• 測量范圍：3.8nm - 100 微米*（直徑）

• 測量原理：電泳光散射法

• 最小樣品容積：150μL（20μL ，采用擴(kuò)散障礙法）

• 精確度：0.12μm.cm/V.s，針對水性系統(tǒng)，采用NIST SRM1980標(biāo)準(zhǔn)參考物質(zhì)

• 靈敏度：10mg/mL （BSA）分子量

• 測量范圍：980Da 20M Da^*

• 測量原理：靜態(tài)光散射法，使用德拜圖

• 最小樣品容積：12μL（需要3-5種樣品濃度）

• 精確度：+/- 10% 典型值

微觀流變學(xué)（選件）

• 測量原理：動態(tài)光散射法

• 最小樣品容積：12μL（僅DLS測量）， *最大范圍，以樣品為主

常規(guī)：

溫度控制范圍：0℃90℃，+/-0.1^**,120℃選裝

光源：HeNe激光器 633nm，最大4mW

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• ZG：

• Zetasizer Nano系列受以下ZG保護(hù)：|非侵入背散射 (NIBS)|EP884580，US6016195，JP11051843|高頻和低頻電泳 (M3)|EP1154266，US7217350，JP04727064 |使用同時(shí)檢測的光散射測量|EP2235501，CN102066901，JP2011523451，US20090251696|插入式樣品池表面電位測定|WO2012172330