原子層沉積（ALD）是在3D結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過(guò)在工藝循環(huán)過(guò)程中在真空腔室分步加入前置物實(shí)現(xiàn)。等離子增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強(qiáng)ALD性能的先進(jìn)方法。

原子層沉積（ALD）是在3D結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過(guò)在工藝循環(huán)過(guò)程中在真空腔室分步加入前置物實(shí)現(xiàn)。等離子增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強(qiáng)ALD性能的先進(jìn)方法。

SENTECH基于多年研發(fā)制造PECVD和ICPECVD的經(jīng)驗(yàn)，包括專有的PTSA技術(shù)，推出第 一臺(tái)PEALD設(shè)備。新的ALD設(shè)備應(yīng)用SENTECH橢偏儀，使熱輔助和等離子輔助的操作和沉積過(guò)程都能得到監(jiān)控。
 
SENTECH使用激光橢偏儀和寬量程分光橢偏儀的前沿技術(shù)——超快在線橢偏儀來(lái)監(jiān)控逐層膜生長(zhǎng)。

第 一臺(tái)PEALD設(shè)備已經(jīng)在布倫瑞克科技大學(xué)（TU Braunschweig）投入使用，用于生長(zhǎng)超高均勻性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。
 
在Al2O3沉積過(guò)程中，三甲基鋁（TMA）等離子產(chǎn)生的氧原子反應(yīng)，襯底溫度為80到200℃。PEALD薄膜厚度均勻性高、折射率變化小的特點(diǎn)。

下圖是ALD與PEALD的沉積結(jié)果對(duì)比