?沖擊電壓擊穿測(cè)試儀ZJC-100KV作用下的氣體介質(zhì)擊穿現(xiàn)象。沖擊電壓可分兩類：一類是雷電沖擊電壓，其標(biāo)準(zhǔn)波形為1.2/50μs，是模擬雷閃放電時(shí)造成的雷電過(guò)電壓；一類是操作沖擊電壓，標(biāo)準(zhǔn)波形為250/2500μs或波前時(shí)間為2000～3000μs的衰減振蕩波，為模擬開(kāi)關(guān)操作或系統(tǒng)故障時(shí)產(chǎn)生的操作過(guò)電壓（見(jiàn)過(guò)電壓）。不同電極形狀空氣間隙的雷電沖擊擊穿電壓如圖3 所示。由于沖擊擊穿電壓有隨機(jī)分散性，一般取50%概率的數(shù)值。沖擊擊穿電壓與試驗(yàn)電壓極性和電極形狀有關(guān)。沖擊電壓擊穿可以發(fā)生在波前或波尾部分，視電壓高低而定。電壓越高，擊穿時(shí)延越短。擊穿電壓與時(shí)延的關(guān)系曲線常稱伏秒特性（見(jiàn)絕緣強(qiáng)度）。它對(duì)電力系統(tǒng)的絕緣配合有重要意義。同樣，由于作用時(shí)間的影響，操作沖擊電壓下間隙擊穿電壓比雷電沖擊電壓下的低。而在一些高功率脈沖裝置產(chǎn)生的幾十納秒脈沖電壓下，間隙擊穿電壓則高得多。

高氣壓電擊穿 　由于氣體壓力與氣體密度成正比，因而氣壓將直接影響電子的自由程，從而影響電離和擊穿。帕邢定律表明，在相同的間隙距離下，提高氣體壓力可提高其擊穿電壓。然而高氣壓下氣體介質(zhì)擊穿的機(jī)理與湯森理論有很大差異。高氣壓電擊穿有以下特點(diǎn)：①超過(guò)一定氣壓Pc之后（各種氣體的Pc值不同，例如SF6的Pc約在6kg/cm 以上），擊穿電壓有較大的分散性。經(jīng)過(guò)多次放電之后（一般稱“鍛煉”），擊穿電壓值漸趨穩(wěn)定。但即使在鍛煉之后，偶爾也會(huì)出現(xiàn)很低的擊穿電壓。②陰極材料對(duì)擊穿電壓有影響。陰極材料的結(jié)構(gòu)，例如有無(wú)雜質(zhì)，單晶或多晶，是否有位錯(cuò)等，也會(huì)影響擊穿電壓的大小。③電極表面狀態(tài)的影響。電極表面加工及清潔程度對(duì)擊穿電壓有作用。如電極經(jīng)拋光、除油等處理后，擊穿電壓比處理前高。④電極面積增大，擊穿電壓將有所降低。⑤氣體中若含有水氣及懸浮尖埃等雜質(zhì)，則會(huì)降低擊穿電壓。因此所充氣體應(yīng)經(jīng)過(guò)凈化處理。

由于高真空狀態(tài)下氣體密度減少到很小的程度，電子或離子的自由程將很長(zhǎng)，以致在間隙中不易發(fā)生碰撞電離，因此間隙的擊穿電壓將會(huì)很高（帕邢定律的左半支曲線）。某些設(shè)備高真空間隙的擊穿場(chǎng)強(qiáng)可高達(dá)1.3MV/cm。影響真空間隙擊穿過(guò)程有許多因素，如真空度、間隙距離、電極材料、電極狀態(tài)、電壓作用時(shí)間等。在真空放電中，電極表面過(guò)程，特別是陰極表面過(guò)程是非常重要的，許多研究工作圍繞著這個(gè)問(wèn)題進(jìn)行，提出了各種真空擊穿放電模型，如場(chǎng)致發(fā)射模型、微粒模型、微放電模型等。對(duì)于脈沖電壓擊穿的機(jī)制，看法比較一致。對(duì)于穩(wěn)態(tài)電壓下的真空擊穿機(jī)制，P.A.恰特登認(rèn)為，在間隙距離d≈10^-3～10^-1cm的區(qū)域，可能是場(chǎng)致發(fā)射引起擊穿；在d≈10^-1～1cm的區(qū)域，可能是微放電的擊穿機(jī)制；更大的間隙， 可能是微粒擊穿機(jī)制。