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BKTEM-D3型賽貝克系數(shù)測(cè)試儀

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產(chǎn)品特點(diǎn)

BKTEM-D3型賽貝克系數(shù)測(cè)試儀/熱電性能測(cè)試儀主要用于測(cè)試兩種不同電導(dǎo)體或半導(dǎo)體的溫度差異而引起兩種物質(zhì)間的電壓差。熱電動(dòng)勢(shì)率,即塞貝克系數(shù)。它表示在給定溫度下熱電動(dòng)勢(shì)隨溫度的變化率,一般用每單位溫度的電動(dòng)勢(shì)值表示,單位名稱(chēng)為微伏每攝氏度(μV/℃)。這一系數(shù)是衡量物質(zhì)熱電性質(zhì)的重要參數(shù)。通過(guò)開(kāi)發(fā)出具有可逆雙性塞貝克系數(shù)的全固態(tài)離子熱電材料和可循環(huán)發(fā)電的離子熱電器件,研究人員揭示了電極調(diào)控離子熱電材料P/N型的微觀機(jī)制,實(shí)現(xiàn)了在恒定溫差下連續(xù)產(chǎn)生電量,并具有高穩(wěn)定性和循環(huán)特性。這一成果為離子熱電轉(zhuǎn)換循環(huán)連續(xù)供電提供了關(guān)鍵技術(shù)。

詳細(xì)介紹

BKTEM-D3型賽貝克系數(shù)測(cè)試儀

關(guān)鍵詞熱電,賽貝克系數(shù),Seebeck

HTRC-800型高溫導(dǎo)電材料電阻率測(cè)試系統(tǒng).jpg

 

當(dāng)兩種不同導(dǎo)體構(gòu)成閉合回路時(shí),如果兩個(gè)接點(diǎn)的溫度不同,則兩接點(diǎn)間有電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生,且在回路中有電流通過(guò),即溫差電現(xiàn)象或塞貝克效應(yīng)。

熱電材料(也稱(chēng)溫差電材料(thermoelectric materials))是一種利用固體內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的功能材料,熱電效應(yīng)是電流引起的可逆熱效應(yīng)和溫差引起的電效應(yīng)的總稱(chēng),包括塞貝克(Seebeck)效應(yīng)、波爾貼(Peltier)效應(yīng)和湯姆遜(Thomson)效應(yīng)。

塞貝克系數(shù),也稱(chēng)為塞貝克效應(yīng),是熱電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域中的一個(gè)核心概念,描述了在兩種不同的導(dǎo)體之間,當(dāng)存在溫度差時(shí),會(huì)產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象。塞貝克系數(shù)的數(shù)值大小直接反映了材料熱電轉(zhuǎn)換的效率,是衡量電動(dòng)勢(shì)大小的物理量。隨著材料科學(xué)的不斷發(fā)展,人們發(fā)現(xiàn)許多新材料具有優(yōu)異的塞貝克性能,這為熱電轉(zhuǎn)換技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用提供了可能。

BKTEM-D3型賽貝克系數(shù)測(cè)試儀/熱電性能測(cè)試儀主要用于測(cè)試兩種不同電導(dǎo)體或半導(dǎo)體的溫度差異而引起兩種物質(zhì)間的電壓差。熱電動(dòng)勢(shì)率,即塞貝克系數(shù)。它表示在給定溫度下熱電動(dòng)勢(shì)隨溫度的變化率,一般用每單位溫度的電動(dòng)勢(shì)值表示,單位名稱(chēng)為微伏每攝氏度(μV/℃)。這一系數(shù)是衡量物質(zhì)熱電性質(zhì)的重要參數(shù)。通過(guò)開(kāi)發(fā)出具有可逆雙性塞貝克系數(shù)的全固態(tài)離子熱電材料和可循環(huán)發(fā)電的離子熱電器件,研究人員揭示了電極調(diào)控離子熱電材料P/N型的微觀機(jī)制,實(shí)現(xiàn)了在恒定溫差下連續(xù)產(chǎn)生電量,并具有高穩(wěn)定性和循環(huán)特性。這一成果為離子熱電轉(zhuǎn)換循環(huán)連續(xù)供電提供了關(guān)鍵技術(shù)。

 

二、儀器測(cè)試原理結(jié)構(gòu)圖

image.png

 


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三、主要熱電材料體系

Bi2Te3/Sb2Te3體系

PbTe體系

SiGe體系

CoSb3為代表的方鉆礦型熱電材料

Zn4Sb3  

四、高溫?zé)犭姴牧蠀?shù)測(cè)試儀產(chǎn)品特點(diǎn)

1、可控溫場(chǎng)下可同步測(cè)量賽貝克系數(shù)和電阻率;

2、配置垂直或水平放樣結(jié)構(gòu),滿(mǎn)足不同用戶(hù)的要求,方便樣品操作;

3、鉑金大電極設(shè)計(jì),與樣品充分接觸,對(duì)于不均勻樣品也可獲得良好的導(dǎo)電測(cè)試;

4、可配置雙加熱系統(tǒng),不均勻樣品的溫差控制;

5、高級(jí)應(yīng)用程序控溫技術(shù),包括溫差和測(cè)量步進(jìn)等高級(jí)要求;

6、0-50K范圍的溫差可隨意設(shè)置溫差值及溫差點(diǎn)的個(gè)數(shù);

7、自由升/降溫、可精確控制溫度程序,進(jìn)行升溫、恒溫與降溫過(guò)程中的數(shù)據(jù)測(cè)量;

8、溫度檢測(cè)可選S 型熱電偶,適合測(cè)量Si系列熱電材料(SiGe,MgSi等);

9、熱電偶探針可選K、S、R型(無(wú)需鎧裝)配置,不會(huì)產(chǎn)生非常大的接觸電阻;

10、熱電偶間距可以跟根據(jù)樣品尺寸調(diào)節(jié)或固定,滿(mǎn)足不同科研要求;

11、標(biāo)準(zhǔn)配置進(jìn)口高級(jí)商用吉時(shí)利(Keithley )數(shù)采儀表,避免電路板集成數(shù)據(jù)采集技術(shù)帶來(lái)的干擾誤差;

12、恒流源參數(shù)、0.000-220mA;恒流設(shè)置分辨率、100nA;恒流穩(wěn)定性、0.008+20nA/天;

13、溫度范圍、RT up to 1150℃;

14、控溫速率、0.01 –100K/min,可以節(jié)約用戶(hù)測(cè)試時(shí)間;

15、測(cè)量范圍、賽貝克系數(shù)、0.5μV/K-25V/K;電阻率、0.2μO(píng)hmm-2.5KOhmm;

16、 0-80K溫差范圍可任意設(shè)置溫差值及溫差點(diǎn)的個(gè)數(shù);

17、U-I曲線自動(dòng)掃描,計(jì)算出合適的電流數(shù)值,可以精確測(cè)量電導(dǎo)率;

不會(huì)對(duì)大電阻樣品產(chǎn)生誤差;

18、熱電偶間距可以根據(jù)樣品尺寸調(diào)節(jié)后固定,滿(mǎn)足不同科研要求;

19、精度、賽貝克系數(shù)、±7 %;電導(dǎo)系數(shù)、±10 %(熱電材料測(cè)試,非康銅標(biāo)樣);

20、重復(fù)性、3%;

21、測(cè)量系統(tǒng)、柱狀、片狀、長(zhǎng)方體、薄膜等系統(tǒng);

五、儀器主要技術(shù)參數(shù)

1、溫度范圍:RT up to 1200℃;

2、溫度分辨率:0.001℃;

3、控溫精度:+/-0.25K;

4、恒流源:0.000-220mA;分辨率:100nA;穩(wěn)定性:0.008+20nA/天,標(biāo)準(zhǔn)配置進(jìn)口高級(jí)商用吉時(shí)利(Keithley )數(shù)采儀表。Keithley技術(shù): 100nV rms 噪音本底,直流電壓靈敏度低至10nV,基本精度為0.002%(90天)7ppm DCV可重復(fù)性,基本1年DCV 準(zhǔn)確度:0.0028%

讀取速度范圍:2k讀數(shù)/秒;

溫度分辨率:0.001℃;

交流電壓分辨率:0.1μV

電阻分辨率:1 μΩ

電流分辨率:1nA

5、U-I曲線自動(dòng)掃描,計(jì)算出合適的電流數(shù)值, 可以精確測(cè)量電導(dǎo)率

6、精度、賽貝克系數(shù):±7 %;電導(dǎo)系數(shù):±10 %(熱電材料測(cè)試,非康銅標(biāo)樣)

重復(fù)性:3%

7、試樣參考大?。?*4*20—8*8*30mm

8、電源:220V



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