功率器件靜態(tài)測試儀igbt測試設(shè)備特點和優(yōu)勢：

單臺Z大3500V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動化測試；

可定制夾具；

nA級電流和uΩ級電阻測量；

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供

整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試。

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對功率器件靜態(tài)測試儀igbt測試設(shè)備感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們