普賽斯二極管反向漏電流測試設(shè)備,集多種測量和分析功能一體,可以晶準測量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

IGBT測試系統(tǒng)圖

    普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置由多種測量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢

    高電壓、大電流

    具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(Z大可擴展至10kV)

    具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))

    高精度測量

    nA級漏電流,  μΩ級導(dǎo)通電阻

    0.1%精度測量

    模塊化配置

    可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元

    測試效率高

    內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元

    支持國標全指標的一鍵測試

    擴展性好

    支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯極管反向漏電流測試設(shè)備特點和優(yōu)勢：

單臺Z大3500V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動化測試；

可定制夾具；

nA級電流和uΩ級電阻測量；

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們！