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產(chǎn)品中心

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GSL-ZDDZS-500電子束蒸鍍

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詳細介紹

用于制備超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。與同類設(shè)備相比,其不僅應(yīng)用廣泛,且具有體積小便于操作及清理方便的優(yōu)點,還具有蒸鍍速率快,電子束定位準確能量密度高,可以避免坩堝材料的污染等特點。1、由于電子束定位準確能量很高,可蒸發(fā)難熔金屬或化合物,蒸發(fā)速率快;
2、體積小,操作簡便可以非常容易的放置材料和清理;
3、蒸發(fā)材料放置在水冷銅坩堝中,可避免坩堝材料的污染,制備高純薄膜;
4、由于蒸發(fā)物面積小,因而熱輻射損失小,熱效率高;

產(chǎn)品名稱

GSL-ZDDZS-500電子束蒸鍍

產(chǎn)品型號
GSL-ZDDZS-500
安裝條件

本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。
1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機,水溫小于25℃,水壓0.25-0.4Mpa,流量高于12 l/min(加注純凈水或者去離子水);
2、電:AC380V 50Hz,功率大于10KW,波動范圍:小于±6%,必須有良好接地(對地電阻小于2Ω);
3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣(純度99.99%以上),需自備氮/氬氣氣瓶(自帶?10mm雙卡套接頭)及減壓閥
4、場地面積:設(shè)備尺寸2000mm×2000mm,承重1000kg以上
5、通風(fēng)裝置:需要(外排廢氣管道);

主要參數(shù)

1、極限真空度:≤6.67x10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后);

2、系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;
3、系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣后,再開始抽氣,45分鐘可達到6.6x10-4 Pa;

基片參數(shù) 1、基片尺寸:可放置φ4″基片(帶手動擋板);
2、基片加熱ZG溫度 800℃±1℃,由熱電偶閉環(huán)反饋控制;
3、基片可連續(xù)回轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分;
4、基片與蒸發(fā)源之間距離300~350mm可調(diào);

電子束蒸發(fā)源參數(shù)

1、E型電子槍,陽極電壓6KV、8KV;
2、電子槍坩堝:水冷銅坩堝,四穴設(shè)計,每個熔煉11ml ;
3、電子束功率0-6KW可調(diào);

真空腔體

1、U型真空室尺寸Ф500X600mm,選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造,氬弧焊接,表面進行特殊工藝拋光處理,接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封;
2、真空腔體前開門鉸鏈結(jié)構(gòu),方便取、放樣品;
3、前開門設(shè)有兩個觀察窗接口,可以觀察電子槍和基片;
4、設(shè)備預(yù)留膜厚儀接口,可選配膜厚儀;
5、高真空分子泵機組,閘板閥隔斷(也可使用高真空擋板閥);

產(chǎn)品規(guī)格

整機尺寸:1800mm×1200mm×2000mm;

標(biāo)準配件

1電源控制系統(tǒng)1套

2真空獲得機組1

3真空測量1

4電子槍1

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