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雙靶磁控濺射儀

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詳細介紹

VTC-600-2HD-1000雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設備,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD-1000雙靶磁控濺射儀配備有兩個靶槍和兩個電源,一個射頻電源用于非導電材料的濺射鍍膜,一個直流電源用于導電材料的濺射鍍膜,可選配強磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設備相比,且具有體積小便于操作的優(yōu)點,且可使用的材料范圍廣,是一款實驗室制備各類材料薄膜的理想設備。
1、配置兩個靶槍,一個配套射頻電源用于非導電靶材的濺射鍍膜,一個配套直流電源用于導電性材料的濺射鍍膜。
2、可制備多種薄膜,應用廣泛。
3、體積小,操作簡便。

產(chǎn)品名稱 VTC-600-2HD-1000雙靶磁控濺射儀
產(chǎn)品型號
VTC-600-2HD-1000
安裝條件 本設備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。
1、水:設備配有自循環(huán)冷卻水機(加注純凈水或者去離子水)
2、電:AC220V 50Hz,必須有良好接地
3、氣:設備腔室內(nèi)需充注氬氣(純度99.99%以上),需自備氬氣氣瓶(自帶?6mm雙卡套接頭)及減壓閥
4、工作臺:尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上
5、通風裝置:需要
主要參數(shù)
1、輸入電源:220V/50Hz
2、濺射靶數(shù)量:2
3、腔體內(nèi)徑:?300mm
4、靶槍冷卻方式:水冷
5、極限真空度:7.4E-5pa
6、真空室規(guī)格:Φ300×330 mm
7、真空系統(tǒng):VRD-16機械泵 FF-100/150渦輪分子泵
8、恢復真空:系統(tǒng)從大氣抽至5.0E-3pa≤30 min(系統(tǒng)短時間暴露大氣)
9、充氣系統(tǒng):2路質(zhì)量流量計(1路氬氣100scc、2路氬氣200scc)特殊氣體可定制
10、濺射靶規(guī)格:Φ2",厚度0.1-5mm(因靶材材質(zhì)不同厚度有所不同)
11、樣品臺:Φ140mm/可旋轉(zhuǎn)(1~20rpm)/可加熱(室溫~1000℃)
產(chǎn)品規(guī)格

主機尺寸:寬900mm×深650mm×高1100mm

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