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數(shù)字源表測半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)

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產(chǎn)品特點(diǎn)

霍爾效應(yīng)是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象,當(dāng)電流垂直于外磁場通過半導(dǎo)體時,載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn),垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場,如下圖所示?;魻栃?yīng)測試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數(shù)RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH等參數(shù)。數(shù)字源表測半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)找生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表

詳細(xì)介紹


霍爾效應(yīng)測試

霍爾效應(yīng)是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象,當(dāng)電流垂直于外磁場通過半導(dǎo)體時,載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn),垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場,如下圖所示?;魻栃?yīng)測試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數(shù)RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH等參數(shù)。數(shù)字源表測半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)找生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六


霍爾效應(yīng).jpg 

 霍爾效應(yīng)

霍爾電壓

首先我們測試霍爾電壓VH,按下圖連接方式連接電路,施加一個垂直樣品平面的磁場B,然后點(diǎn)擊設(shè)置——輸出設(shè)置,將源表調(diào)為4線前面板輸出模式,再返回主界面點(diǎn)擊測量,將源表設(shè)置為電流源模式,設(shè)置源限值,點(diǎn)擊“OUTPUT”,向1至3方向輸入電流,測試2、4間電壓。

 霍爾電壓測試連接圖.jpg

圖8 霍爾電壓測試電路

注意:在2線模式下搭建和拆除電路,禁止在4線模式下插拔。

測試中會受到不等電勢位、愛廷豪森效應(yīng)、倫斯脫效應(yīng)等因素的影響,為了保證測試結(jié)果的準(zhǔn)確度,測試中采取對稱測量法。首先我們規(guī)定磁場由下向上為正,電流由1向3為正。具體操作如下:

①、提供正向磁場(+B),正向電流(+I);測得電壓V1;

②、提供正向磁場(+B),反向電流(-I);測得電壓V2;

③、提供反向磁場(-B),反向電流(-I);測得電壓V3;

④、提供反向磁場(-B),正向電流(+I);測得電壓V4;



霍爾電壓為:

霍爾電壓計算.jpg

電阻率

測試電阻率我們使用范德堡技術(shù),給相鄰的兩點(diǎn)提供電流,測試對立邊的兩點(diǎn)的電壓,此時不需要提供磁場,具體的操作如下圖9所示。

 范德堡技術(shù)測試方法.jpg

圖9 范德堡技術(shù)測試方法



測試完成后利用測試所得的數(shù)據(jù)先計算出電阻率,計算出兩個電阻率的值ρA、ρB:

電阻率公式1.jpg

電阻率公式2.jpg

電阻率公式3.jpg


tS是以厘米為單位的樣品的厚度;

V1-V8代表電壓測量出的電壓;測得的電壓應(yīng)該小于5V,一般為mV;

I是以安培為單位流過樣品的電流;

fA、fB是基于樣品對稱性的幾何因數(shù),如果樣品W美對稱則fA=fB=1,我們測試中一般選擇正方形的樣品,正方形是W美對稱的。

如果ρA、ρB相差大于10%,則測試的樣品不夠均勻,那使用范德堡技術(shù)就不能準(zhǔn)確的確定電阻率,要放棄該方法測試。


其他參數(shù)

霍爾系數(shù)RH:

霍爾系數(shù)算法公式.jpg

載流子濃度n:

載流子濃度計算公式.jpg

霍爾遷移率μH:

霍爾遷移率計算公式.jpg

VH為3.1中測試的電壓、tS為樣品的厚度、B為3.1測試中提供的磁場,I為3.1中提供的電流,ρ為3.2中測試所得的電阻率。通過上面的計算公式,我們可以將霍爾系數(shù)RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH都計算出來。


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