-
-
德國EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統(tǒng)
- 品牌:德國博易
- 型號: EBAC/RCI
- 產(chǎn)地:歐洲 德國
- 供應(yīng)商報價:¥150
-
北京裕隆時代科技有限公司
更新時間:2023-08-31 09:18:08
-
銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業(yè)執(zhí)照
- 同類產(chǎn)品電鏡應(yīng)用(5件)
立即掃碼咨詢
聯(lián)系方式:400-822-6768
聯(lián)系我們時請說明在儀器網(wǎng)(m.yn180.com)上看到的!
掃 碼 分 享 -
為您推薦
產(chǎn)品特點
- 作為德國POINT ELECTRONIC (PE) 公司中國區(qū)總代理,裕隆時代向用戶提供專業(yè)的的電子束吸收電流分析系統(tǒng)EBAC/RCI。
EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統(tǒng),能夠方便快速的定位半導體芯片電路中的短路及失效點位置,不但可以對同層電路,而且可以對次表層,甚至表層下第三層、第四層電路進行失效點的精準定位,因此能夠?qū)Π雽w芯片電路或相關(guān)材料進行快速準確的失效分析。
目前,集成電路芯片設(shè)計越來越復(fù)雜,關(guān)鍵尺寸和金屬連線線寬越來越小,傳統(tǒng)的失效點定位方法,如微光顯微鏡或光束又到電阻變化鞥,由于其分辨率不足,導致不能精確地定位電路故障點位置,電壓襯度方法雖然在一些開路短路失效分析中能快速地定位失效點,但只是局限于電路同層分析。
EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統(tǒng)是基于掃描電鏡的分析系統(tǒng),在保留掃描電鏡高分辨率的前提下,能夠?qū)ν瑢有酒娐愤M行高精準定位,同時能夠?qū)Υ伪韺由踔帘砻嫦碌谌?、第四層電路進行失效點定位,因此越來越多的應(yīng)用于先進制程芯片的失效分析。在涉及多層金屬層的失效定位分析時,EBAC/RCI方法更加簡便精確,可保證分析的成功率,并縮短分析周期。 詳細介紹
作為德國POINT ELECTRONIC (PE) 公司中國區(qū)總代理,裕隆時代向用戶提供專業(yè)的的電子束吸收電流分析系統(tǒng)EBAC/RCI。
EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統(tǒng),能夠方便快速的定位半導體芯片電路中的短路及失效點位置,不但可以對同層電路,而且可以對次表層,甚至表層下第三層、第四層電路進行失效點的準確定位,因此能夠?qū)Π雽w芯片電路或相關(guān)材料進行快速準確的失效分析。
目前,集成電路芯片設(shè)計越來越復(fù)雜,關(guān)鍵尺寸和金屬連線線寬越來越小,傳統(tǒng)的失效點定位方法,如微光顯微鏡或光束又到電阻變化鞥,由于其分辨率不足,導致不能精確地定位電路故障點位置,電壓襯度方法雖然在一些開路短路失效分析中能快速地定位失效點,但只是局限于電路同層分析。
EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統(tǒng)是基于掃描電鏡的分析系統(tǒng),在保留掃描電鏡高分辨率的前提下,能夠?qū)ν瑢有酒娐愤M行高準確定位,同時能夠?qū)Υ伪韺由踔帘砻嫦碌谌?、第四層電路進行失效點定位,因此越來越多的應(yīng)用于先進制程芯片的失效分析。在涉及多層金屬層的失效定位分析時,EBAC/RCI方法更加簡便精確,可保證分析的成功率,并縮短分析周期。
EBAC/RCI acquisition
The lowest noise Electron Beam Absorbed Current (EBAC)
and Resistive Contrast Imaging (RCI)
Find exact location of any open,resistive or shorting defect
Localize metal line cuts caused by cracking,corrosion, electro-migration, or foreign particles
Identify resistive opens caused by interface contamination at via interconnects
Pinpoint location for direct TEM lamella FIB preparation
Characterize interconnects with highest resolution
Reveal electrical integrity of nets with sub-mciron lateral resolution and bridge from EFA to PFA
Diagnose fabrication and long term issues, including contamination,metal pattering defects, resistive interconnectors, or electro-migration
Directly isolate defects to the exact layer and die location, and improve them to product improvement actions
Verify device operation modes with built-in biasing for voltage contrastImage bias/voltage contrast in delayered devices
Monitor operation of devices under bias
Compare imaged behaviour with device design
Localize defects in thin dielectric layersVisualise and localise weaknesses in gate oxide (GOX) and capacitor oxide (COX) before breakdown
Pinpoint oxides shorts caused by ESD or EOS with sub-micron resolution
Preserve the original defect signature with power dissipation in the lower nW range during localization
Access failures invisible in voltage contrastFind low resistances that allow charge tunneling trough the interconnects
Investigate structures in contact with the silicon substrate
Characterize large metal structures
裕隆時代擁有一支涉及眾多領(lǐng)域高素質(zhì)的應(yīng)用支持團隊,向客戶提供完整的實驗室解決方案和良好的售后服務(wù)。
我們承諾24小時內(nèi)對客戶需求做出反應(yīng)。
專業(yè)勤奮的銷售隊伍,隨時為您提供咨詢服務(wù)。
經(jīng)驗豐富的專家隊伍,為您答疑解惑,拓展您的應(yīng)用領(lǐng)域,提升客戶應(yīng)用水平。
勤勉敬業(yè)的售后團隊,向您提供專業(yè)及時的售后服務(wù),解決您的后顧之憂。
裕隆時代,愿和您一起攜手,共創(chuàng)美好未來!