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德國EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統(tǒng)

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產(chǎn)品特點

作為德國POINT ELECTRONIC (PE) 公司中國區(qū)總代理,裕隆時代向用戶提供專業(yè)的的電子束吸收電流分析系統(tǒng)EBAC/RCI。

EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統(tǒng),能夠方便快速的定位半導體芯片電路中的短路及失效點位置,不但可以對同層電路,而且可以對次表層,甚至表層下第三層、第四層電路進行失效點的精準定位,因此能夠?qū)Π雽w芯片電路或相關(guān)材料進行快速準確的失效分析。

目前,集成電路芯片設(shè)計越來越復(fù)雜,關(guān)鍵尺寸和金屬連線線寬越來越小,傳統(tǒng)的失效點定位方法,如微光顯微鏡或光束又到電阻變化鞥,由于其分辨率不足,導致不能精確地定位電路故障點位置,電壓襯度方法雖然在一些開路短路失效分析中能快速地定位失效點,但只是局限于電路同層分析。

EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統(tǒng)是基于掃描電鏡的分析系統(tǒng),在保留掃描電鏡高分辨率的前提下,能夠?qū)ν瑢有酒娐愤M行高精準定位,同時能夠?qū)Υ伪韺由踔帘砻嫦碌谌?、第四層電路進行失效點定位,因此越來越多的應(yīng)用于先進制程芯片的失效分析。在涉及多層金屬層的失效定位分析時,EBAC/RCI方法更加簡便精確,可保證分析的成功率,并縮短分析周期。

詳細介紹


作為德國POINT ELECTRONIC  (PE) 公司中國區(qū)總代理,裕隆時代向用戶提供專業(yè)的的電子束吸收電流分析系統(tǒng)EBAC/RCI。

EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統(tǒng),能夠方便快速的定位半導體芯片電路中的短路及失效點位置,不但可以對同層電路,而且可以對次表層,甚至表層下第三層、第四層電路進行失效點的準確定位,因此能夠?qū)Π雽w芯片電路或相關(guān)材料進行快速準確的失效分析。

目前,集成電路芯片設(shè)計越來越復(fù)雜,關(guān)鍵尺寸和金屬連線線寬越來越小,傳統(tǒng)的失效點定位方法,如微光顯微鏡或光束又到電阻變化鞥,由于其分辨率不足,導致不能精確地定位電路故障點位置,電壓襯度方法雖然在一些開路短路失效分析中能快速地定位失效點,但只是局限于電路同層分析。

EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統(tǒng)是基于掃描電鏡的分析系統(tǒng),在保留掃描電鏡高分辨率的前提下,能夠?qū)ν瑢有酒娐愤M行高準確定位,同時能夠?qū)Υ伪韺由踔帘砻嫦碌谌?、第四層電路進行失效點定位,因此越來越多的應(yīng)用于先進制程芯片的失效分析。在涉及多層金屬層的失效定位分析時,EBAC/RCI方法更加簡便精確,可保證分析的成功率,并縮短分析周期。


EBAC/RCI acquisition

The lowest noise Electron Beam Absorbed Current (EBAC)
and Resistive Contrast Imaging (RCI)   


Find exact location of any open,resistive or shorting defect
 

  • Localize metal line cuts caused by cracking,corrosion, electro-migration, or foreign particles

  • Identify resistive opens caused by interface contamination at via interconnects

  • Pinpoint location for direct TEM lamella FIB preparation 

Characterize interconnects with highest resolution
 
  • Reveal electrical integrity of nets with sub-mciron lateral resolution and bridge from EFA to PFA

  • Diagnose fabrication and long term issues, including contamination,metal pattering defects, resistive interconnectors, or electro-migration

  • Directly isolate defects to the exact layer and die location, and improve them to product improvement actions
     


Verify device operation modes with built-in biasing for voltage contrast
  • Image bias/voltage contrast in delayered devices

  • Monitor operation of devices under bias

  • Compare imaged behaviour with device design


Localize defects in thin dielectric layers 
  • Visualise and localise weaknesses in gate oxide (GOX) and capacitor oxide (COX) before breakdown

  • Pinpoint oxides shorts caused by ESD or EOS with sub-micron resolution

  • Preserve the original defect signature with power dissipation in the lower nW range during localization


Access failures invisible in voltage contrast
  • Find low resistances that allow charge tunneling trough the interconnects

  • Investigate structures in contact with the silicon substrate

  • Characterize large metal structures




裕隆時代擁有一支涉及眾多領(lǐng)域高素質(zhì)的應(yīng)用支持團隊,向客戶提供完整的實驗室解決方案和良好的售后服務(wù)。


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