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硅探測(cè)器
- 品牌：上海波銘
- 型號(hào)： 硅探測(cè)器
- 產(chǎn)地：上海 浦東新區(qū)
- 供應(yīng)商報(bào)價(jià)：面議
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上海波銘科學(xué)儀器有限公司
更新時(shí)間：2025-05-08 14:35:54 -
銷售范圍售全國(guó)
入駐年限第5年
營(yíng)業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品硅探測(cè)器 (1件)
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詳細(xì)介紹
? 室溫型探測(cè)器
? 使用范圍：200-1100nm
? 兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：
? DT-Si200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器
? DT-Si300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器
?技術(shù)指標(biāo)＼型號(hào)名稱
DT-Si200 紫敏硅探測(cè)器
DT-Si300 藍(lán)光增強(qiáng)型硅探測(cè)器
進(jìn)口紫外增強(qiáng)型
進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型
有效接收面積(mm2)
100(Φ11.28)
100(Φ11.28)
波長(zhǎng)使用范圍(nm)
200-1100
350-1100
峰值波長(zhǎng)(nm)，典型值
820nm
970nm
峰值波長(zhǎng)響應(yīng)度(A/W)
0.52
0.60(>0.55)
典型波長(zhǎng)的響應(yīng)度(A/W)
0.14(>0.09)@254nm
0.20(>0.15)@410nm
響應(yīng)時(shí)間(μs)
5.9
2
工作溫度范圍(℃)
-10～+60
-10～+60
儲(chǔ)存溫度范圍(℃)
-20～+70
-20～+70
分流電阻RSH(MΩ)
10(>5)
(>10)
等效噪聲功率NEP(W/√Hz)
4.5×10-13
2.0×10-13
*大操作電流(mA@0V bias)
0.1
10.0
結(jié)電容(pf@0V bias)
4500
8800
信號(hào)輸出模式
電流
電流
輸出信號(hào)極性
正（P） 正（P）
器（高速型）-228x228.png)
鋁膜反射鏡-228x228.jpg)
滬公網(wǎng)安備 31011502008050號(hào)